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STB4NB80中文资料

  • 大小：52.88KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：N - CHANNEL 800V - 3ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESHO MOSFET
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：800 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 30 V
  • 漏极连续电流：4 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：D2PAK
  • 封装：Tube
  • 下降时间：9 ns
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：100 W
  • 上升时间：8 ns
  • 工厂包装数量：50

STB4NB80供应商

更新时间:2022-12-31 06:46:48
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SPX1117M3-L-3.3/TRSI4435DYSP3223EEASN65HVD485EDRSIR466DP-T1-GE3SC1009PNSBR20A100CTSI6963DQ-T1S-8054HNM-CQ-T1STS4DNFS30L

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